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在对双向Buck-Boost电路进行理论分析时,我们都会假设L和C这两类无源器件的值很大。电感L很大就意味着低压侧的电感电流纹波很小,电容C很大就意味着低压侧和高压侧的电压纹波很小。
www.kiaic.com/article/detail/4108.html 2023-03-08
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理想开关状态下,开关器件的端电压为0或流过开关管的电流为0,而两者的过渡状态下,电压、电流均不为0,两者出现交叠,因此会产生开关损耗,而电压和电流变化速度很快,波形会产生明显过充,从而产生了开关噪声,如图1a所示。
www.kiaic.com/article/detail/4107.html 2023-03-08
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开关电源是一种典型的反馈控制系统,其有响应速度和稳定性两个重要的指标。响应速度就是当负载变化或者输入电压变化时,电源能迅速做出调整的速度。
www.kiaic.com/article/detail/4106.html 2023-03-08
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栅极(G):MOS管的控制引脚,G的全称是Gate,当在栅极(G)施加电压后,栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。氧化物层两边形成一个电容,门极电压等于对电容充电,受电压吸引,电容另一边聚集大量电子,形成导电沟道,MOS管开始...
www.kiaic.com/article/detail/3429.html 2023-03-08
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非隔离双向Buck-Boost变换器是双向DC-DC变换器的最基础拓扑,也是工业界最常用的拓扑,它由2个开关管、1个电感、2个电容组成。其电路结构如图1非隔离双向Buck-Boost变换器结构所示。
www.kiaic.com/article/detail/4105.html 2023-03-07
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工作过程:当Q1导通时,电源V2工作,电感L1进行储能,电路电路电流逐渐增大,电容C1进行充电操作;当Q1截止时,由于电感特性会阻碍电流变化,电感L1成为能量源释放能量,电容C1仍然处于充电状态,然而由于负载始终在消耗能量,使得电容C1两端电压始终低于输入电...
www.kiaic.com/article/detail/4104.html 2023-03-07
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同步整流是一种提高DC/DC变换效率的技术,尤其是在低电压、大电流的应用场合,其效果更为显著。同步整流技术是通过采用导通电阻较小的MOS管代替DC/DC变换器中的整流二极管,从而提高效率。
www.kiaic.com/article/detail/4103.html 2023-03-07
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从上面这几个仿真可以发现,1、NMOS的漏级电压vds由驱动电压VGS和漏极电阻R1决定;2、VGS越大越有利于管子的导通;3、MOS管的驱动电压要大于规格书的最大开启电压(最小1v),才能让管子完全导通。
www.kiaic.com/article/detail/4102.html 2023-03-06
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当PWM为低电平时,Q2关闭,Q1打开,C1开始放电,放电回路是C1-C2-D1,这实际上也是对C2进行充电的过程。C2充好电后,下正上负,如果VCC的电势为5点几伏,就可以输出-5V的电压了。
www.kiaic.com/article/detail/4101.html 2023-03-06
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DC-DC包括boost(升压)、buck(降压)、Boost/buck(升/降压)和反相结构,具有高效率、高输出电流、低静态电流等特点,随着集成度的提高,许多新型DC-DC转换器的外围电路仅需电感和滤波电容,优点是效率高,输入电压范围较宽,但是输入输出的压差相对LDO要求...
www.kiaic.com/article/detail/4100.html 2023-03-06
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由于 PMOS 它的输入端是接在它的源极上(如下图),而门级是需要低于源极才能是它导通,所以这个就是 PMOS 的 LDO 在驱动上天生的要比 NMOS 的 LDO 简单。
www.kiaic.com/article/detail/4099.html 2023-03-03
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下面这幅简化的原理图中示出了经由 NMOS 传输元件留至负载的电流。这里所使用的栅极至源极电压(VGS)用于说明原理。 NMOS LDO 它同样是采用一对电阻来采样输出电压,把它送入误差放大器的输入端,接着和一个基准做比较,然后在误差放大器里面进行放大,最后产生...
www.kiaic.com/article/detail/4098.html 2023-03-03
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常见的LDO是由P管构成的,LDO效率比较低,因此一般不会走大电流。针对某些大电流低压差需求的场合,N管LDO应运而生。下图是PMOS和NMOS LDO的系统框图对比,下面先看下PMOS LDO的基本工作流程。
www.kiaic.com/article/detail/4097.html 2023-03-03
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KNX4390A是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,先进的工艺使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于PD快充电源、电源转换器、马达驱动及电焊机等。
www.kiaic.com/article/detail/4096.html 2023-03-02